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Mosfet Doble Canal n. Soic-8
Mosfet Doble Canal n. Soic-8
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Mosfet Doble Canal n. Soic-8

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Descripción de

Mosfet Doble Canal n. Soic-8

:
integrado que contiene dos Mosfet canal N y cuenta con 2 pines para cada Drain. Está fabricado con tecnología Hexfet de quinta generación.

Voltaje de ruptura Drain-Source: 30V

Corriente máxima de Drain: 4.9A @ 25 C

Máxima disipación de potencia: 2W

Máxima resistencia RDS On: 50mΩ @ ID=2.4A, VGS=10V
Encapsulado: SOIC-8
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ID producto: 1072086 | Vendido por Proveedor externo
  • Fecha de alta del producto 13/11/2011
  • -
  • Modificado por el vendedor 01/06/2016
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